MESFET相关论文
本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件......
本文介绍了GaAs高速动态分频器的设计,并讨论了动态分频器的工作原理,最后根据国内GaAs MESFET器件模型给出了设计结果,仿真得到了......
采用FET管芯四级单端行波放大电路设计了2～6GHz幅相一致限幅放大器.该放大器增益大于45dB,在-35dBm～+5dBm输入功率范围内,幅度一致性......
TTL-ECL电平转换集成电路是将输入的TTL电平信号转换成ECL电平输出信号的器件.国外多家公司均生产该器件,如MOTOROLA、MAREL、NATI......
本文介绍了GaAs微波大功率FET的设计、制作和性能,内匹配功率合成技术研究等.工艺采用高质量MBE材料,成功地制作了大栅宽(单胞12mm......
本文提出了一种改进的遗传算法,并应用该算法实现了精确、快速地提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.该遗传算法具有如下特点:基于......
采用MESFET管芯行波放大电路和MMIC单片电路设计了0.8~18GHz幅相跟踪中功率放大器系列.该中功率放大器系列增益大于20dB,幅度一致......
复包络分析法特别适用于分析现代数字无线通信系统（例如CDMA和TDMA）。该文从器件的角度采用复包络法分析了多音和数字信号激励的非线......
介绍一种根据GaAs MESFET的静态I-V特性曲线和小信号5参数，利用IADS技术对功放管的输入和输出阻抗匹配电路进行优化仿真设计的方法......
Low-frequency noises in GaAs MESFET＇s currents associated with substrate conductivity and channel-su
Low-frequency noises in GaAs MESFET are usually observed when investigating the drain current and substrate leakage curr......
本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器......
本文将嗓声源引入ＭＥＳＦＥＴ小信号等效电路模型，推导了由ＭＥＳＦＥＴ内部参数计算其［Ｓ］参数的计算公式及由嗓声源引起的各端口噪声电流表达式和噪声参数的计......
ＧａＮＭＥＳＦＥＴ宽带隙半导体已在高温电子学和大功率微波器件领域日益引起人们的重视。这主要是因为宽带隙材料产热率较低，击穿电场较高。ＧａＮ材料不仅......
学 术 论 文 期 页机不可失 时不再来—…………………………………………………………………………………·林金庭 11MOCVD生长 G......
综述了近年来微波ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ可靠性的研究进展。重点介绍了影响其可靠性的因素如栅肖特基结和源／漏欧姆结的相互扩散及表面效应等。
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本文提出了一种奇次ＡＢ倍频器，并对Ａ倍频器、Ｂ倍频器进行了全面的理论分析，进一步完善了单栅ＭＥＳＦＥＴ的倍频理论。研制了Ｃ波段宽带ＭＥＳＦＥＴ三倍频器和二倍频......
介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32～33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最......
本文对BFL单元电路进行了改进，首次提出一种新型的GaAs单电源单元电路，并研究了该单元电路与SiTTL电路的接口电路，实验结果表明该单元......
本文对源漏ｎ＋浅结注入的自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内部的电位、电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析，分析表明，不同ｎ＋注入深度对器件的特性有一定......
本文从器件的几何、材料和工艺参数出发,获得了低功耗低噪声增强型(E型)GaAsMESFET(简称EFET,下同)模型的等效电路元件值.研究了器......
本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层......
鉴于器件模拟参数在电路模拟中的重要性，本文选择了较为理想的模型参数提取方法─统计试验法，并从理论上解决了该方法在迭代求解过程......
用 MOCVD 法制备了在高电阻率 GaN 层上生长沟道厚度为0.25μm的GaN MESFET,这些器件的跨导为20mS/mm,其中一个栅长为0.7μm的器件......
本文介绍了利用扫描电子显微镜对GaAsMESFET背面通孔形貌及电镀状况进行了分析.并对电镀工艺进行了改进.给出了大量改善前后的电镜......
报道了全平面C波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺，均匀性好，平均成品率40％，可靠性高。工......
随着通讯系统小型化的需要,很多微波有源电路需要单片集成(MMIC)。在MMIC中变容二极管与GaAs MESFET工艺不兼容,无法在一块GaAs半......
THE low-noise preamplifier, as one of the major circuits in signal detection system, consists ofthe low noise amplifier......
研制了一种高T_c超导薄膜/砷化镓场效应器件混合的微波振荡器,整个电路采用微带电路形式,制备在一片10mm×15mm的YBa_2Cu_3O_(7-δ......
微波ＭＥＳＦＥＴ上变频器张锦卫＊冯立民苗敬峰（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）随着微波ＦＥＴ的迅速发展，微波场效应管上变频器的研究引起了人们的兴趣．１９８０年Ａｂｌａｓｓｍｅｉｅｒ等......
本文介绍了一种可以复益UHP，L、S和c波段的GaAs单片有源移相器．该装置与一个90°混合耦合电路结合、能产生以11．25°阶跃的，从0°～90°......
本文用负阻概念分析了微波晶体管振荡器的基本工作原理及设计方法，着重讨论了微波振荡器的电路特性，给出了精确可靠的数学模型，并编写......
本文对无耗型ＭＥＳＦＥＴＮ极注入混频器电路工作原理进行了分析，在对这种混频器进行ＣＡＤ研究中，提出了ＭＥＳＦＥＴ模型扩展技术，在此基础上进行了Ｋｕ波段无耗型ＭＥＳ－ＦＥＴ混频器......
阐述了功率ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件热阻测试中温敏参数ＶＧＳＦ和测试电流Ｉｍ的选取，给出了１～５Ｗ器件典型温敏参数的温度测试系数Ｍ与测试电流Ｉｍ的关系。讨论了测试延迟时间......
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效......
介绍了单管 ５ Ｗ 大栅宽多胞微波砷化镓 Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 器件的优化设计、关键工艺技术的创新、器件特性测试等，特别是器件具有高反向击穿电压......
对Curtic准静态、Materka、Statz以及修正Curtic－Rodriguez四种非线性模型进行比较，通过分析各种模型DC、CV、RF特性，发现修正的Curti......
文章测量了单胞、双胞、六胞大功率MESFET的S参数，通过精确的误差控制，进行数据处理，得到了单胞拟合成双胞、单胞拟合成六胞的S参数，通......
提出了一种ＧａＡｓ 双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型．分析了ＧａＡｓ 双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式．通过提取适当的模型参数，其直......
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片......
报道了ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备及其可靠性，以及基于欧姆接触退化的ＧａＡｓＭＥＳ－ＦＥＴ的失效分析。结果表明，ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备已日趋成熟，接触电阻有所减小......
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象......
The enhancement mode GaN metal|insulator|semiconductor field effect transistor (E|MISFET) is successfully fabricated on ......
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象......
